我国超高精度激光光刻技术取得重大突破 实现完全自主（股）

据报道，近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员与国家纳米中心刘前研究员合作，开发成功新型5nm超高精度激光光刻加工方法。该技术使用了研究团队所开发的具有完全知识产权的激光直写设备，打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制，可使用多种受体材料，极大地扩展了激光直写的应用场景。

亚10nm的结构在集成电路、光子芯片、微纳传感、光电芯片、纳米器件等技术领域有着巨大的应用需求，这对微纳加工的效率和精度提出了许多新的挑战。然而，长期以来激光直写技术很难做到纳米尺度的超高精度加工。此次中国研究团队很好地解决了高效和高精度之间的固有矛盾，开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现了广阔的应用前景。

相关上市公司：

清溢光电：主要采用激光直写法生产集成电路掩膜版，客户包括中芯国际等；

苏大维格：研发成功紫外激光直写光刻关键技术、软件和装备，处于国际领先地位。公司在互动平台表示，与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所有项目合作。