三星申请半导体存储器件专利，技术能实现高度集成的存储器件

2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件和制造方法“，公开号CN117135908A，申请日期为2023年1月。

专利摘要显示，一种半导体存储器件，包括：衬底和在衬底上的绝缘层；绝缘层上的第一外围有源区和第二外围有源区，均具有第一表面和相对的第二表面；器件隔离层，在第一外围有源区与第二外围有源区之间以隔离第一外围有源区和第二外围有源区；位线，连接到第一外围有源区的第一表面和第二外围有源区的第一表面中的至少一个第一表面；第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，分别设置在第一外围有源区的第二表面和第二外围有源区的第二表面上；第一外围栅电极和第二外围栅电极，第一外围栅电极设置在第一栅绝缘层上，第二外围栅电极设置在第二栅绝缘层上；以及接触图案，连接到位线，其中，第一外围有源区和第二外围有源区中的每一个通过绝缘层相对于衬底浮置。这项技术有助于达到更高度集成的存储器件。