台积电取得半导体装置专利，半导体装置包括设置在至少一个主动深沟槽电容器的相对侧上的多个虚拟深沟槽电容器

2024年1月18日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“，授权公告号CN220358069U，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，揭示了一种半导体装置。在一个态样中，揭示了至少一个主动深沟槽电容器。至少一个主动深沟槽电容器包括多个导电层和设置在这些导电层的相邻导电层之间的绝缘层。半导体装置包括设置在至少一个主动深沟槽电容器的相对侧上的多个虚拟深沟槽电容器，这些虚拟深沟槽电容器和至少一个主动深沟槽电容器以列设置。半导体装置包括连接至主动深沟槽电容器的导电层的多个导电结构。虚拟深沟槽电容器与至少一个主动深沟槽电容器绝缘。