台积电申请基板的制造方法专利，该专利技术能使一磊晶层沉积工艺最佳化

金融界2024年2月27日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“基板的制造方法“，公开号CN117604643A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，描述一种基板的制造方法。一种制造工艺以在为磊晶层形成作准备中评估并选择多个原始半导体晶圆。该制造工艺首先产生一单一晶体铸块，在该操作期间，紧密地控制一晶种拉动速率及温度梯度。该所得铸块为富空位的但具有相对少的自填隙缺陷。多个所选择晶圆可进展至一高温氮化退火操作，该高温氮化退火操作进一步减小填隙的数目同时增大空位。由一高空位密度表征的多个基板可接着用以使一磊晶层沉积工艺最佳化。