三星取得三维半导体存储器件制造方法专利，提高数据存储效率

2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件和制造其的方法“，授权公告号CN109817628B，申请日期为2018年11月。

专利摘要显示，提供了三维半导体存储器件和制造其的方法。一种存储器件可以包括：半导体层，包括第一区和第二区；第一垂直结构，在第一区上并在与半导体层的顶表面垂直的第一方向上延伸；以及第二垂直结构，在第二区上并在第一方向上延伸。第一垂直结构可以包括在第一方向上延伸并与半导体层接触的垂直半导体图案、以及围绕垂直半导体图案的第一数据存储图案。第二垂直结构可以包括在第一方向上延伸并与半导体层接触的绝缘结构、以及围绕绝缘结构的第二数据存储图案。