福建华清电子申请一种氮化铝发光二极管的制备方法专利，解决二极管生产问题

2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，福建华清电子材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝发光二极管的制备方法”的专利，公开号CN 119153595 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及光电子制造技术领域，提供一种氮化铝发光二极管的制备方法，解决现有技术制备的发光二极管性能相对较差，生产成本较高，不适宜大量生产的问题；包括以下步骤：1)在经过斜切处理的蓝宝石衬底表面依次生长第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、超晶格过渡层、n‑AlGaN层、多量子阱发光层、P‑AlGaN层；2)制备电极；3)封装，获得所述氮化铝发光二极管。