南京云程半导体申请电容结构和半导体结构专利，有利于降低电容结构向外辐射的磁场强度

2025 年 1 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，南京云程半导体有限公司申请一项名为“电容结构和半导体结构”的专利，公开号 CN 119364778 A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及半导体技术领域，提供一种电容结构和半导体结构，电容结构包括：由正极结构和负极结构构成的电容元件，正极结构包括电流注入部和正电荷存储部，负极结构包括电流输出部和负电荷存储部，正电荷存储部和至少部分负电荷存储部正对；正极结构和负极结构均为导电层，正电荷存储部和负电荷存储部中产生的电流流向相反，且沿任一电流流向上电流注入部和电流输出部位于同侧；和/或，至少部分电容元件由有源器件构成，相邻两个有源器件中的栅极中产生的电流流向相反，且沿任一电流流向上相邻两个电流注入部或两个电流输出部位于相对的两侧，至少有利于降低电容结构本身向外辐射的磁场强度，以减少对周围器件的干扰。

天眼查资料显示，南京云程半导体有限公司，成立于2021年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本921.7789万人民币，实缴资本426.7789万人民币。通过天眼查大数据分析，南京云程半导体有限公司共对外投资了2家企业，知识产权方面有商标信息7条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可6个。