南京云程半导体申请电容结构和半导体结构专利，提高电容结构的品质因子

2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，南京云程半导体有限公司申请一项名为“电容结构和半导体结构”的专利，公开号 CN 119364777 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及半导体技术领域，提供一种电容结构和半导体结构，电容结构包括：至少一个包括沿第一方向依次间隔排布的第一主极板、至少两个第一延展部和多个第一导电通孔的第一极板结构；第一导电通孔连接第一主极板和最靠近第一主极板的第一延展部，或连接相邻两个第一延展部；至少一个包括沿第二方向依次间隔排布的第二主极板、至少两个第二延展部和多个第二导电通孔的第二极板结构；第二导电通孔连接第二主极板和最靠近第二主极板的第二延展部，或连接相邻两个第二延展部；第二延展部至少具有沿第一方向延伸的4个侧壁，第一延展部至少环绕第二延展部的2个侧壁。本申请实施例至少有利于提高电容结构的品质因子。

天眼查资料显示，南京云程半导体有限公司，成立于2021年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本921.7789万人民币，实缴资本426.7789万人民币。通过天眼查大数据分析，南京云程半导体有限公司共对外投资了2家企业，知识产权方面有商标信息7条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可6个。