浙江晶越半导体申请籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长专利，有效提升了籽晶与石墨籽晶盖的稳定粘结

2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法”的专利，公开号 CN 119372772 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅制备领域，尤其涉及一种籽晶粘结方法及碳化硅晶体生长方法，所述籽晶粘结方法，包括以下步骤：（S.1）在石墨籽晶盖上覆盖一层金属膜层；（S.2）将籽晶非生长面置于所述金属膜层表面，并在籽晶生长面上依次覆盖柔性薄膜以及刚性压板；（S.3）在刚性压板上方施加压力使得籽晶的非生长面与金属膜层紧密贴合；（S.4）在真空以及加热条件下，使得籽晶的非生长面与金属膜层发生扩散烧结反应，从而完成籽晶的粘结。本申请创造性的使用金属膜层与籽晶之间的扩散烧结反应，从而有效提升了籽晶与石墨籽晶盖的稳定粘结，避免了在粘结面收缩气泡以及边缘粘结剥离的现象，降低碳化硅晶体的内部位错密度。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币，实缴资本20252万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目8次，知识产权方面有商标信息47条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可3个。