晶亦精微申请用于分析晶圆表面划痕产生原因专利，能快速且准确得到晶圆产生划痕的原因

2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶亦精微科技股份有限公司申请一项名为“用于分析晶圆表面划痕产生原因的方法、装置、设备和存储介质”的专利，公开号CN 119671936 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明涉及晶圆检测技术领域，公开了用于分析晶圆表面划痕产生原因的方法、装置、设备和存储介质，方法包括：获取表面有划痕的晶圆和与表面有划痕的晶圆对应的化学机械抛光机台输出参数；标注表面有划痕的晶圆的划痕产生原因，得到晶圆的标签信息；基于晶圆、化学机械抛光机台输出参数和标签信息，构建晶圆划痕数据集；构建晶圆划痕产生原因分类模型，基于晶圆划痕数据集训练晶圆划痕产生原因分类模型，在晶圆划痕产生原因分类模型训练完成后，基于晶圆划痕产生原因分类模型分析晶圆表面划痕产生原因。通过训练完成的晶圆划痕产生原因分类模型可以快速且准确地得到晶圆产生划痕的原因。

天眼查资料显示，北京晶亦精微科技股份有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本16646.135万人民币，实缴资本16646.135万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶亦精微科技股份有限公司参与招投标项目51次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息359条，此外企业还拥有行政许可8个。