杭州宽能半导体申请SIC晶圆背面加工装置及使用方法专利，能对SIC晶圆背面进行加工

2025年4月4日消息，国家知识产权局信息显示，杭州宽能半导体有限公司申请一项名为“种SIC晶圆背面加工装置及使用方法”的专利，公开号CN 119748234 A ，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种SIC晶圆背面加工装置及使用方法，包括安装座，所述安装座的内壁均安装有第一电动推杆，使用时，将除尘箱对防尘框进行磁力贴合固定，再将第二卡架对第三电动推杆进行卡合固定，再将电机对金刚石刀盘进行法兰固定，将SIC晶圆放置在放置台上端，将第一电动推杆驱动放置台抬升指定位置，将第二电动推杆驱动固定架对SIC晶圆进行固定，将电机驱动金刚石刀盘进行高速旋转，将第三电动推杆驱动连接架进行移动，将弹簧对升降架进行抵触，将橡胶筒对SIC晶圆进行贴合抗震，最后将风扇打开，将除尘箱对SIC晶圆削薄废渣进行清除，将SIC晶圆背面进行加工，就这样一种SIC晶圆背面加工装置及使用方法就完成了。

天眼查资料显示，杭州宽能半导体有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州宽能半导体有限公司。