浙江晶越半导体申请高效率碳化硅单晶生长装置专利，提升晶体生长速率

2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种高效率碳化硅单晶生长装置”的专利，公开号CN119900075A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅晶体生长领域，尤其涉及一种高效率碳化硅单晶生长装置，其包括一个坩埚主体，所述坩埚主体从上至下按照温区分布划分为高温区以及低温区，且所述高温区以及低温区相互连通；其中，所述高温区内设置有一个用于盛放碳化硅粉源的粉料曲，所述高温区的顶部还设置有一个用于盛放碳粉的碳粉区；所述低温区底部粘结设置有一个用于沉积碳化硅晶体的籽晶；所述坩埚主体内部还设置有用于过滤固体颗粒掉落至籽晶表面的过滤装置。本申请通过改变坩埚主体内部高温区与低温区的设置方向，有效改变了用于碳化硅单晶沉积的气体的扩散方向以及分布方式，从而提升了晶体生长速率。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可3个。