浙江广芯微电子申请碳化硅高压 MOS 结构快速验证专利，提高验证效率和验证结果准确性

2025 年 5 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江广芯微电子有限公司申请一项名为“一种碳化硅高压 MOS 结构快速验证方法及系统”的专利，公开号 CN119939197A，申请日期为 2025 年 4 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅高压 MOS 结构快速验证方法及系统，涉及半导体器件相关技术领域，该方法包括：对碳化硅高压 MOS 结构进行动态周期监测得到全周期输出特性，并提取第一输出特性；读取预定趋势对比策略，并基于预定趋势对比策略将分析第一输出特性得到的第一 IV 特性曲线与理想 IV 特性曲线进行对比，得到第一相配度；引入预定反馈校准函数对第一相配度进行校准调整，得到第一目标相配度；将第一目标相配度作为碳化硅高压 MOS 结构的第一结构有效性指数。解决了现有技术中存在的碳化硅高压 MOS 结构验证效率低且误差较大的技术问题，达到了提高验证效率和验证结果准确性的技术效果。

天眼查资料显示，浙江广芯微电子有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5545.4545万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江广芯微电子有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可6个。