苏州立琻半导体申请发光结构及其制备方法专利，提高了发光结构的显示对比度

2025年5月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州立琻半导体有限公司申请一项名为“发光结构及其制备方法”的专利，公开号CN119967980A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请涉及一种发光结构及其制备方法，包括：提供衬底；在芯片区上形成彼此间隔设置的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；刻蚀芯片区，形成暴露像素单元且彼此间隔设置的第一像素槽、第二像素槽和第三像素槽，第一像素槽、第二像素槽和第三像素槽分别与第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元相对应；芯片区的未被去除的部分形成为隔离挡墙，第一隔离挡墙位于第一像素槽、第二像素槽和第三像素槽任意二者之间，第二隔离挡墙位于芯片区的边缘区域；在第二表面上形成覆盖像素槽的滤光层，第一滤光层覆盖第一像素槽，第二滤光层覆盖第二像素槽；在隔离挡墙上形成消光层。由此，提高了发光结构的显示对比度。

天眼查资料显示，苏州立琻半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9038.6025万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州立琻半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息34条，专利信息844条，此外企业还拥有行政许可16个。