中航凯迈（上海）红外科技申请量子点修饰的InN薄膜及其制备方法与应用专利，提高产氢效率

2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，中航凯迈（上海）红外科技有限公司申请一项名为“一种量子点修饰的InN薄膜及其制备方法与应用”的专利，公开号CN119980458A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，一种量子点修饰的InN薄膜及其制备方法与应用，包括以下步骤：（1）采用湿法转移法在Si衬底上转移石墨烯；（2）采用分子束外延生长工艺，在转移有石墨烯的Si衬底上生长InN薄膜；（3）进一步地在步骤（2）所得InN薄膜上进行分子束外延，得到量子点修饰的InN薄膜，所述量子点为InAs或者InSb。该量子点修饰的InN薄膜包括衬底、转移至衬底上的石墨烯，生长在石墨烯上的InN薄膜和生长在InN薄膜上的量子点。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备了量子点修饰的InN薄膜光电极。该光电极可用于光电催化水分解制氢，大大提高了产氢效率，为利用太阳能大规模制备氢能源提供有效策。

天眼查资料显示，中航凯迈（上海）红外科技有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29116.7万人民币。通过天眼查大数据分析，中航凯迈（上海）红外科技有限公司参与招投标项目304次，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可35个。