中航凯迈申请一种独立像元的红外焦平面器件及其制备方法专利，大幅降低半导体焦平面阵列的结构应力

2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，中航凯迈（上海）红外科技有限公司申请一项名为“一种独立像元的红外焦平面器件及其制备方法”的专利，公开号CN120035239A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本发明属于半导体技术中的红外焦平面探测器制备技术领域，具体公开一种独立像元的红外焦平面器件及其制备方法，在半导体材料上制作金属电极并生长铟柱，通过高精度倒焊机将其与相同规模的硅读出电路连接起来，使用环氧胶将其缝隙填充，再将半导体材料减薄抛光，把每个像元刻蚀分开后进行钝化处理，开窗口，制作透明导电电极，本发明中所有像元完全独立分开设置，能够大幅降低半导体焦平面阵列的结构应力、减小芯片在制冷时产生的裂纹，并减小像元间串音，为低成本、高效率地制备大规模小像元的红外焦平面探测器奠定基础。

天眼查资料显示，中航凯迈（上海）红外科技有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29116.7万人民币。通过天眼查大数据分析，中航凯迈（上海）红外科技有限公司参与招投标项目305次，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可35个。