浙江驰拓科技申请磁存储位元和磁性存储器专利，实现不需要引入外加磁场即可使磁性隧道结的自由层磁矩进行翻转的技术效果

2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“磁存储位元和磁性存储器”的专利，公开号CN120166913A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种磁存储位元和磁性存储器，该磁存储位元包括：辅助层；磁性隧道结，位于辅助层的一侧；铁磁层，铁磁层具有第一表面，铁磁层位于磁性隧道结远离辅助层的一侧，铁磁层具有磁矩，磁矩方向为第一方向，第一表面与第一方向平行，第一方向为由铁磁层指向辅助层的方向；轨道层，轨道层具有第二表面，第二表面与第一表面接触，通过在磁存储位元中引入铁磁层，并将轨道层放置于铁磁层侧面，不仅加大了磁性隧道结的刻蚀窗口，还使磁性隧道结中自由层磁矩方向与轨道层中磁矩方向平行，实现了不需要引入外加磁场即可使磁性隧道结的自由层磁矩进行翻转的技术效果。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目95次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可7个。