欣晖材料申请半导体材料及其制备方法专利，提供一种包含特定结构第一碳化硅层的半导体材料及其制备方法

2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，重庆欣晖材料技术有限公司申请一项名为“半导体材料及其制备方法”的专利，公开号CN120358785A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体材料及其制备方法，其中，半导体材料包括第一碳化硅层；第一碳化硅层包括孪晶结构和非孪晶结构；孪晶结构嵌入在非孪晶结构中；孪晶结构的生长方向在第一碳化硅层的厚度延伸方向上的投影大于零；孪晶结构的尺寸大于非孪晶结构的晶粒尺寸。

天眼查资料显示，重庆欣晖材料技术有限公司，成立于2022年，位于重庆市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1746.571万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆欣晖材料技术有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可20个。