欣晖材料申请半导体结构及其制造方法专利，提供一种半导体结构及其制造方法

2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，重庆欣晖材料技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120413411A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：将载气以及含有硅元素和碳元素的反应气体通入反应腔室中，以在碳层的一侧形成初始第一碳化硅层，初始第一碳化硅层中硅元素的摩尔含量大于50％；升高反应腔室的温度，初始第一碳化硅层中部分硅元素扩散至初始第一碳化硅层和碳层之间的界面处，并和部分碳层发生反应，以形成第二碳化硅层；其中，发生反应后的初始第一碳化硅层形成第一碳化硅层，第二碳化硅层设于碳层和第一碳化硅层之间。

天眼查资料显示，重庆欣晖材料技术有限公司，成立于2022年，位于重庆市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1746.571万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆欣晖材料技术有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可20个。