国电投核力创芯申请晶圆高能氢离子注入工艺非接触监测方法专利，保护了晶圆的完整性

2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司申请一项名为“一种晶圆高能氢离子注入工艺非接触监测方法”的专利，公开号CN120453186A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明申请涉及一种高能氢离子注入工艺非接触监测方法，属于半导体制造技术领域，高能氢离子注入工艺非接触监测方法包括：获取用于监测晶圆高能氢离子注入工艺的监测晶圆，待进行晶圆高能氢离子注入工艺的晶圆为工艺正片，监测晶圆为晶圆高能氢离子注入工艺的工艺陪片；工艺陪片、工艺正片同步均进行高能氢离子注入工艺；使用非接触式方阻测试仪测量工艺陪片的方阻，根据工艺陪片的注入前方阻数据和工艺陪片的注入后方阻数据，评估工艺正片的高能氢离子注入工艺的注入能量、注入剂量和工艺均匀性。

天眼查资料显示，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本7022.63万人民币。通过天眼查大数据分析，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司参与招投标项目297次，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可33个。