京微齐力申请优化PSRAM的fmax布局方法专利，提升PSRAM最大工作频率

国家知识产权局信息显示，京微齐力（北京）科技股份有限公司申请一项名为“一种优化PSRAM的fmax的布局方法”的专利，公开号CN 120562366 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种优化PSRAM的fmax的布局方法，该方法包括：将PSRAM接口的多个I/O预先布局在芯片的一侧区域的上下两端；将一部分与PSRAM上端的I/O相连接的EMB布局在芯片与I/O同侧的上半区域，将另一部分与PSRAM下端的I/O相连接的EMB块布局在芯片与I/O同侧的下半区域，以缩短EMB与I/O的连接路径；通过区域约束方法将与PSRAM关联的逻辑单元约束在芯片与I/O同侧的一侧区域中；其中，逻辑单元包括REG和其他逻辑单元；通过布局算法将与PSRAM关联的逻辑单元布局在芯片与I/O同侧的一侧区域中；其中，REG相对于其他逻辑单元优先布局在芯片与I/O同侧的一侧区域中。

天眼查资料显示，京微齐力（北京）科技股份有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本3086.0241万人民币。通过天眼查大数据分析，京微齐力（北京）科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息257条，此外企业还拥有行政许可4个。

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