谱析光晶申请具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅 SiCMOSFET 器件及制备工艺专利，显著降低 SiO₂界面的电场强度

国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅 SiCMOSFET 器件及制备工艺”的专利，公开号 CN120603294A，申请日期为 2025 年 08 月。

专利摘要显示，本发明涉及 MOS 半导体技术领域，且公开了具有改进栅极氧化层可靠性的碳化硅 SiCMOSFET 器件，所述碳化硅 SiCMOSFET 器件由若干个相互并列的 MOS 元胞组成，所述 MOS 元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层、源极，所述半导体外延层包括 N 衬底层、N 扩散层、P+层、P 阱层和 N 阱层，所述栅极与 P 阱层之间设有高 K 介质，其中高 K 介质的一侧且位于源极和 N 阱层之间设有掺杂多晶硅；所述高 K 介质为二氧化铪、氧化铝或二氧化锆中的一种。本发明通过高 K 介质与 SiO₂栅氧化层的双层堆叠结构，利用高 K 材料的高介电常数分担栅压，显著降低 SiO₂界面的电场强度，同时减少栅极漏电流两个数量级，从根本上抑制热载流子注入导致的栅氧层退化。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目16次，专利信息169条，此外企业还拥有行政许可2个。

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