安徽格恩半导体申请一种III族氮化物半导体激光器专利，提升激光元件的光功率和斜率效率

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种III族氮化物半导体激光器”的专利，公开号CN120674914A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提出了一种III族氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层。本发明在半导体激光器的上限制层与电子阻挡层之间设置有非互易拓扑激光振荡层。非互易拓扑激光振荡层的特定导带有效态密度分布、介电常数分布和峰值速率电场分布与上限制层、上波导层和/或下限制层、下波导层的界面形成的光子结构，与特定拓扑不变量间的单向光子带隙边缘态，通过非对角介电张量调控磁光效应增强非互易性，沿手性位移方向传播的圆偏振光获得不同相位和衰减，调控有源层受激辐射激光耦合到特定的波导输出，抑制内部光学损耗，提升激光元件的模式增益，提升激光元件的光功率和斜率效率。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息495条，此外企业还拥有行政许可12个。

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