芯粤能半导体申请半导体结构的制备方法专利，减小了MOSFET器件的导通电阻

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 120676690 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法，在碳化硅衬底上形成栅极材料层和位于栅极材料层上的层间介质层后，图形化层间介质层和栅极材料层，在层间介质层和栅极材料层中形成露出源区表面的凹槽，并形成MOSFET器件的栅极结构在凹槽的内侧壁表面形成第一侧墙在第一侧墙之间的源区表面形成金属硅化物；在第一侧墙的表面以及金属硅化物的部分表面形成第二侧墙；形成填充满第二侧墙的内侧壁之间的剩余的凹槽的金属插塞。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可99个。

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