杰平方半导体取得高功率密度SCR器件结构相关专利，能增大SCR器件单位面积下能承受的最大瞬态脉冲功率

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司取得一项名为“一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件”的专利，授权公告号CN 223348994 U，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种高功率密度SCR器件结构及半导体器件，属于半导体功率器件技术领域，该高功率密度SCR器件结构，包括衬底；N型阱区，形成在所述衬底中，所述N型阱区的一侧邻接有P型阱区；第一金属填充区，设置在所述N型阱区中，所述第一金属填充区的两侧分别设置有第一N型区和第一P型区；第二金属填充区，设置在所述P型阱区中，所述第二金属填充区的两侧分别设置有第二N型区和第二P型区。通过引入金属填充区，能够使SCR器件结构有着更大的有效电流泄放通路面积，提高了SCR器件在大电流下的电流均匀性，能够在不增大器件面积的情况下，显著地提高器件地泄放电流能力，增大SCR器件在单位面积下能够承受的最大瞬态脉冲功率。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息70条，此外企业还拥有行政许可2个。

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