稷以科技申请新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法专利 ,可将气体刻蚀反应和高温分解反应集合在同一个腔体内

市场资讯 2025-09-24 13:32:54
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国家知识产权局信息显示,上海稷以科技有限公司申请一项名为“新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法”的专利,公开号 CN120690715A,申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示,本发明提出了一种新型氧化硅刻蚀腔体及刻蚀方法,该刻蚀腔体包括:腔本体,其上设有气体喷淋盘;气体喷淋盘上开设有用于通入工艺气体的进气孔;加热源,用于分解晶圆表面的副产物,其设置于气体喷淋盘并可开闭;及晶圆载台,设置于腔本体内且位于气体喷淋盘的下方,其可对晶圆加热,其上设有可升降的晶圆顶针。本发明可将气体刻蚀反应和高温分解反应集合在同一个腔体内。

天眼查资料显示,上海稷以科技有限公司,成立于2015年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本475.5886万人民币。通过天眼查大数据分析,上海稷以科技有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目87次,财产线索方面有商标信息35条,专利信息127条,此外企业还拥有行政许可13个。

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