杰平方半导体取得一种高维持电压的SCR器件版图结构专利，提高SCR器件维持电压

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司取得一项名为“一种高维持电压的SCR器件版图结构”的专利，授权公告号CN 223364478 U，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种高维持电压SCR器件版图结构，属于电子电路技术领域，该高维持电压的SCR器件版图结构，包括衬底；N型阱区；第一N型重掺杂区，纵向设置在N型阱区中，第一N型重掺杂区的侧连接有第一P型重掺杂区；第三N型重掺杂区，横向设置在N型阱区中，第三N型重掺杂区的顶部或底部连接有第三P型重掺杂区；P型阱区，与N型阱区邻接；第二N型重掺杂区，纵向设置在P型阱区中，第二N型重掺杂区的一侧连接有第二P型重掺杂区；第四N型重掺杂区，横向设置在P型阱区中，第四N型重掺杂区的顶部或底部连接有第四P型重掺杂区。通过在衬底上形成两个SCR结构，两个SCR结构在正常工作偏压时，产生的电场方向具有一定的角度，优化SCR器件在其开启后的电流分布，达到提高SCR器件维持电压和触发电流的目的。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息70条，此外企业还拥有行政许可2个。

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