江苏昕感科技申请低接触电阻的高压SiC器件制备方法及SiC器件专利，简化工艺同时降低成本

国家知识产权局信息显示，江苏昕感科技有限责任公司申请一项名为“低接触电阻的高压SiC器件制备方法及SiC器件”的专利，公开号CN 120751719 A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明涉及一种低接触电阻的高压SiC器件制备方法，包括如下步骤：步骤1：在SiC外延衬底上完成P型井区、场氧化层、源极和栅极的制备；步骤2：采用热氧化工艺，仅在栅极表面生长氧化层；步骤3：采用自动对准金属硅化合物工艺，在SiC与金属接触处形成金属硅化合物，完成源极的欧姆接触；步骤4：生长中间氧化层，进行光刻和刻蚀后形成源极接触窗口和栅极接触窗口；步骤5：在源极接触窗口和栅极接触窗口填充钨金属，制备上层金属后完成SiC器件的制备。

天眼查资料显示，江苏昕感科技有限责任公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏昕感科技有限责任公司参与招投标项目4次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可49个。

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