浙江驰拓科技申请磁存储位元及其制备方法和磁性存储器专利，解决磁存储位元的磁性隧道结的过程中刻蚀窗口小导致刻蚀难度大的问题

国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器”的专利，公开号CN120835736A，申请日期为2024年04月。

专利摘要显示，本申请提供了一种磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器，该磁存储位元包括：包括：轨道层；间隔层，位于轨道层的一侧，间隔层的材料包含轻元素；磁性隧道结，位于间隔层背离轨道层的一侧；通过在轨道层和磁性隧道结之间引入具有轻元素的间隔层，使间隔层可以作为刻蚀牺牲层，防止过刻蚀到轨道层对器件性能的影响；且由于形成间隔层的材料中还具有轻元素，为了不影响器件的性能在将上述多余间隔层刻蚀去除时，用于刻蚀轻元素的材料不会对轨道层产生刻蚀作用，因此，采用具有轻元素的间隔层解决了磁存储位元的磁性隧道结的过程中刻蚀窗口小，导致刻蚀难度大的问题。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目96次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息458条，此外企业还拥有行政许可8个。

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