粤芯半导体申请深硅通孔制备相关专利，简化深硅通孔的制备工艺流程

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片”的专利，公开号 CN120854380A，申请日期为 2025 年 07 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片，涉及半导体制造技术领域。该深硅通孔制备方法包括：在晶圆的硅中介层上表面沉积氧化硅以形成氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜上表面涂覆光刻胶，通过预设的通孔掩膜对光刻胶进行曝光显影以露出通孔区域；在刻蚀工艺腔内通过干法刻蚀工艺刻蚀通孔区域的氧化硅薄膜和硅中介层以形成深硅通孔；在刻蚀工艺腔内通过干法刻蚀工艺去除剩余的光刻胶和氧化硅薄膜。通过上述技术手段，在刻蚀通孔后直接在刻蚀工艺腔内采用干法刻蚀工艺去除光刻胶和氧化硅薄膜，无需转移晶圆到其他工艺台，简化了深硅通孔的制备工艺流程，提高了深硅通孔的制备效率。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目124次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1019条，此外企业还拥有行政许可128个。

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