德智新材料申请制备碳化硅涂层方法专利 可实现碳化硅涂层耐腐蚀性提升

国家知识产权局信息显示，湖南德智新材料股份有限公司申请一项名为“一种制备碳化硅涂层的方法”的专利，公开号 CN120866795A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备碳化硅涂层的方法。该方法采用化学气相沉积工艺，控制第一沉积温度为1150℃‑1250℃，第二沉积温度为1300℃‑1400℃，第三沉积温度为1150℃‑1250℃，并结合降温工艺，以及第二沉积后的机械打磨工艺，在烧结碳化硅陶瓷表面沉积得到“小晶粒过渡层‑大晶粒中间层‑小晶粒表层”的三层碳化硅涂层；本发明通过梯度晶粒结构设计与分阶段沉积，可实现碳化硅涂层耐腐蚀性提升、降低碳化硅涂层研磨掉粒率，同时避免翘曲，有效提升半导体测温材料的测温可靠性和使用寿命。

天眼查资料显示，湖南德智新材料股份有限公司，成立于2017年，位于株洲市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2437.2476万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南德智新材料股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可33个。

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