吉姆西半导体申请晶圆磨削旋转顶升吸附平台专利，可对加工后的晶圆进行先泄压后顶出的顶升工作

国家知识产权局信息显示，吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司申请一项名为“一种晶圆磨削旋转顶升吸附平台”的专利，公开号CN 120862561 A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明属于晶圆加工领域，具体的说是一种晶圆磨削旋转顶升吸附平台，包括外壳，所述外壳上设有吸附组件、旋转组件、顶升组件；旋转组件包括第一电机，所述第一电机固定安装在外壳底部；所述外壳内部转动连接有第一齿轮和第二齿轮；所述第一齿轮和第二齿轮为啮合关系；所述第一齿轮和第一电机输出端为固接关系；所述第二齿轮顶部通过多个杆件固接有吸附盘；所述外壳的外壁开设有多个透气孔，用于保持外壳与外界连通；顶升组件包括气缸，所述气缸固定安装在外壳底部；所述气缸输出端固接有空心杆；通过设置顶升组件，可对加工后的晶圆进行先泄压后顶出的顶升工作，使得晶圆可稳定从吸附盘上被释放。

天眼查资料显示，吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司，成立于2014年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本36715.6957万人民币。通过天眼查大数据分析，吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司共对外投资了33家企业，参与招投标项目215次，财产线索方面有商标信息37条，专利信息235条，此外企业还拥有行政许可44个。

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