圣永丞半导体申请基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头相关专利，制备的钻头具有优异的耐磨性

国家知识产权局信息显示，上海圣永丞半导体科技有限公司申请一项名为“基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用”的专利，公开号CN 120866794 A，申请日期为2025年09月。

专利摘要显示，本发明涉及超硬材料加工领域，公开了一种基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用。该方法包括以下步骤：基体预处理；催化剂负载：将预处理后的基体浸入硝酸镍溶液中，超声处理使镍离子均匀吸附在基体表面；然后将基体取出；石墨烯生长：将负载催化剂的基体放入LCVD反应室中，抽真空后通入氩气和氢气，将基体加热，然后通入甲烷气体，开启脉冲激光，在基体表面生长石墨烯薄膜；金刚石沉积：关闭甲烷气体，通入氢气和甲烷混合气体，将基体降温，开启脉冲激光，在石墨烯薄膜表面沉积金刚石薄膜；后处理。

天眼查资料显示，上海圣永丞半导体科技有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1124.2351万人民币。通过天眼查大数据分析，上海圣永丞半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可12个。

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