杭州谱析光晶半导体申请集成石墨烯散热通道的 SiC VDMOSFET 结构及其工艺专利，显著提升器件散热能力

国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种集成石墨烯散热通道的 SiC VDMOSFET 结构及其工艺”的专利，公开号 CN120936073A，申请日期为 2025 年 10 月。

专利摘要显示，本发明涉及 MOS 半导体技术领域，且公开了一种集成石墨烯散热通道的 SiC VDMOSFET 结构及其工艺，包括若干个相互并列的 MOS 元胞，单个 MOS 元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括 N 衬底层、N 扩散层、P+层、P 阱层以及 N 阱层，所述 P 阱层与 N 阱层之间设有石墨烯层，该石墨烯层的上下两端分别与 N 阱层、P 阱层直接接触；所述 P+层的内部设有金属层，所述金属层的顶端与源极直接接触。本发明通过在 P 阱层与 N 阱层之间引入石墨烯层，并使其与金属层形成欧姆接触，构建出高效垂直散热路径，显著提升了器件的散热能力，有效降低了工作温度，从而提高了器件的可靠性和功率密度，适用于高功率、高频率应用场景。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目19次，专利信息189条，此外企业还拥有行政许可2个。

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