苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制作方法专利，降低半导体结构的位错密度

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120933243A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：斜切角衬底，斜切角衬底包括相对的上表面和下表面，多个凹槽开设于上表面，凹槽包括底壁端，以及位于底壁端两侧、并相对的第一侧壁和第二侧壁，底壁端和第一侧壁构成的第一夹角为锐角，在外延生长时，第一外延层从底壁端外延生长，第一侧壁可以终止部分位错的延伸，降低半导体结构的位错密度。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息316条，此外企业还拥有行政许可24个。

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