上海积塔半导体申请半导体结构制备方法及半导体结构专利，有效减少碳化硅衬底与栅氧化层之间的界面缺陷

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN120936082A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，制备方法包括：提供碳化硅衬底，去除碳化硅衬底表面的目标隐患，得到粗糙度位于目标范围内的目标Si面；采用预设反应源、第一预设温度及第一预设压强下的减压化学气相沉积工艺，在目标Si面上外延生长预设厚度的单晶硅层；采用氧氛围、第二预设温度及第二预设压强下的氧化工艺，将单晶硅层氧化，得到预设厚度的栅氧化层；在预设惰性气体氛围及第三预设温度下，退火处理栅氧化层。至少能够有效减少碳化硅衬底与栅氧化层之间的界面缺陷，提升半导体器件栅极的沟道迁移率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1903次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1282条，此外企业还拥有行政许可200个。

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