重庆万国半导体申请降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法专利，极大地降低了栅极电阻

国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120957443A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明公开了一种降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法，制备方法包括：在硅衬底上沉积外延层，并在外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层；在栅极沟槽中淀积栅极多晶硅；通过离子注入形成体区与源区；在栅极多晶硅的一侧或两侧形成栅极金属布线；淀积二氧化硅介质层，并在二氧化硅介质层上制备源区通孔，在所述源区通孔中形成金属栓；完成沟槽型功率半导体器件的后续制备工艺。本发明中，通过改进工艺使功率半导体芯片内元胞的栅极信号主要通过金属而不是传统的多晶硅传输，由于金属的电阻率大大低于多晶硅，因此极大地降低了栅极电阻，提高了开关速度与线性区能力，优化了器件性能。

天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息148条，此外企业还拥有行政许可19个。

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