安徽格恩半导体申请设有极化调控层的半导体激光元件及其制造方法专利，显著降低界面极化电荷密度

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种设有极化调控层的半导体激光元件及其制造方法”的专利，公开号CN120955455A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明公开了一种设有极化调控层的半导体激光元件及其制造方法，属于半导体光电子器件技术领域。包括n型半导体层、p型半导体层以及设置于二者之间的有源区，所述有源区包括量子势阱层和量子势垒层。本发明的关键在于，在有源区与所述p型半导体层之间增设了一极化调控层。极化调控层的材料组分及/或应变状态经过配置，使其内部产生的第一净极化场的方向，与有源区中最靠近p型半导体层的量子势垒层内的第二净极化场的方向相反。这种反向极化场的设计，能够在二者界面处有效抵消总的极化强度，从而显著降低界面极化电荷密度，平坦化有源区的能带结构，减弱因内建极化场导致的量子限制斯塔克效应。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息517条，此外企业还拥有行政许可12个。

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