苏州晶湛半导体申请一种复合衬底及其制造方法专利，制备缺陷少、质量高的GaN基器件

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种复合衬底及其制造方法”的专利，公开号CN120955032A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本公开提供了一种复合衬底及其制造方法，本公开在支撑衬底上生长III族氮化物层；将III族氮化物层键合至表面具有介质层的目标衬底上；去除支撑衬底；在III族氮化物层远离目标衬底的一侧形成多个间隔排布的六角纳米孔。本公开通过倒置键合剥离支撑衬底的方法可降低III族氮化物层与衬底因晶格失配和热失配产生的应力，提高III族氮化物层的质量，同时得到绝缘体上的III族氮化物层，降低III族氮化物层和衬底之间的寄生电容。本公开制备的复合衬底为III族氮化物器件的同质衬底，可制备缺陷少、质量高的GaN基器件，同时，III族氮化物层在易刻蚀的N面上设置的六角纳米孔可进一步提高上方侧向外延生长的GaN基器件的质量。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息316条，此外企业还拥有行政许可24个。

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