华南理工和粤芯半导体申请半导体器件及制造方法专利，降低对半导体器件损伤

国家知识产权局信息显示，华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件以及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN120955046A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，在半导体衬底上设有多层金属布线，金属布线用于连接形成于半导体衬底上的器件结构，不同层金属布线之间通过接触孔电连接，每层金属布线的间隙被介电层填充，多层金属布线包括顶层金属；复合钝化层包覆于顶层金属上，复合钝化层由下至上依次包括：富硅氧化硅层、高密度等离子体化学气相沉积氧化层、研磨后的等离子增强化学气相沉积氧化层和氮化硅层，富硅氧化硅层、高密度等离子体化学气相沉积氧化层以及研磨后的等离子增强化学气相沉积氧化层的总厚度大于等于顶层金属的厚度。

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