杰平方半导体申请碳化硅器件及其制造方法专利，降低金属硅化物层与接触孔之间的接触电压

国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“碳化硅器件及其制造方法”的专利，公开号CN 120957469 A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅器件及其制造方法，碳化硅器件包括衬底、接触区、层间介质层和金属硅化物层，衬底上形成有外延层，外延层中形成有间隔设置的源区和漏区；接触区位于源区与漏区之间的外延层中并与源区和漏区相接触，且接触区的顶表面低于源区和漏区的顶表面；层间介质层位于外延层上，层间介质层中具有接触孔，接触孔对准接触区，且接触孔的底部低于源区和漏区的顶表面，以使接触孔中的源区的顶表面与侧壁以及漏区的顶表面与侧壁均构成台阶；由此可以增加金属硅化物层与源区和漏区的接触面积，即可以使得金属硅化物层与源区和漏区的侧壁和顶表面均接触，从而可以降低金属硅化物层与接触孔之间的接触电压，提高器件的性能。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息71条，此外企业还拥有行政许可2个。

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