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重庆云潼科技取得应用于MOSFET驱动的过流保护电路专利,提升过流保护响应速度
市场资讯 2025-11-18 11:00:55
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国家知识产权局信息显示,重庆云潼科技有限公司取得一项名为“一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路”的专利,授权公告号CN 223553033 U,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本实用新型涉及一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路,旨在提升过流保护响应速度、降低功耗,并提供可视化预警功能。该电路由驱动电路、过流保护电路和稳压电路组成。驱动电路采用PWM信号控制,通过PNP型三极管实现对MOS管的快速导通与关断。过流保护电路以霍尔传感器为核心,实时检测电流并输出信号,与MOS管配合实现过载时的线路切断。稳压电路通过线性稳压器提供稳定的工作电压。相比传统过流保护方案,本电路利用霍尔传感器直接检测电流,避免额外功耗,提高检测精度。保护电路在过载时迅速切断主电流路径,并通过LED提供预警提示。该设计具有响应速度快、能耗低的优势。
天眼查资料显示,重庆云潼科技有限公司,成立于2018年,位于重庆市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本961.6794万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目6次,财产线索方面有商标信息85条,专利信息207条,此外企业还拥有行政许可11个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。