芯三代半导体申请碳化硅外延设备及外延生长方法专利，实现高质量外延和经济性之间的平衡

国家知识产权局信息显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅外延设备及外延生长方法”的专利，公开号 CN120967500A，申请日期为 2025 年 06 月。

专利摘要显示，本申请公开一种碳化硅外延设备及外延生长方法。该外延设备包括第一成膜组件及第二成膜组件及传输腔，该传输腔将第一成膜组件及第二成膜组件连接，该传输腔内设置有机械手，通过该机械手衬底从第一成膜组件经传输腔传输至第二成膜组件或从第二成膜组件经传输腔传输至第一成膜组件。通过这样的设计在进行碳化硅外延生长时在第一成膜组件内生长缓冲层，以降低位错和堆垛层错的密度，然后在第二成膜组件内成长主体层，该第一成膜组件采用分子束外延的方式进行成膜，用于生长缓冲层，第二成膜组件采用化学气相沉积的方式，利用化学气相沉积可以快速生长主体层，实现高质量外延和经济性之间的平衡。

天眼查资料显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6413.3399万人民币。通过天眼查大数据分析，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可13个。

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