芯粤能申请半导体结构制备方法相关专利 可提升器件的可靠性

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备”的专利，公开号 CN120980904A，申请日期为 2025年08月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法、功率器件、电子设备，包括：于沟道长度不大于亚微米级的功率器件，方法包括：提供衬底；衬底的第一表面上包括沿第一方向间隔排列，沿第二方向延伸的掩模层；掩模层的侧表面上包括第一侧墙结构；基于第一侧墙结构，于衬底内形成缓冲掺杂区；形成位于第一侧墙结构侧表面的第二侧墙结构，以及位于相邻第二侧墙结构之间，且沿第二方向间隔排列的凹槽；基于第二侧墙结构，于凹槽底的衬底内形成第一掺杂区；去除第一侧墙结构、第二侧墙结构、掩模层后，于衬底内形成沿第二方向位于相邻第一掺杂区之间的第二掺杂区。能够实现LDS结构，可减小峰值电场，从而减轻热载流子对栅氧化层的损害以提升器件的可靠性。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可99个。

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