苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制作方法专利，减少栅极漏电流

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120980925A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层和第一P型半导体层，沟道层和势垒层构成异质结，第一P型半导体层耗尽沟道处2DEG、实现增强型器件；在栅极区域的势垒层上方依次设置侧壁对齐的第一P型半导体层、含铝膜层和栅极接触层，可以减少栅极漏电流，并通过提高栅极接触层和第一P型半导体层之间的肖特基势垒高度，提高击穿电压，同时侧壁对齐通过工艺较简单的金属自对准工艺实现。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息316条，此外企业还拥有行政许可24个。

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