清纯半导体申请半导体功率器件的终端结构及其制备方法专利，缓解动态雪崩

国家知识产权局信息显示，清纯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“半导体功率器件的终端结构及其制备方法”的专利，公开号 CN120980929A，申请日期为 2025 年 07 月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体功率器件的终端结构及其制备方法，半导体功率器件的终端结构包括：衬底层；位于衬底层一侧的外延层，外延层包括有源区和包围有源区的终端区；主结，位于终端区中；场限环，位于终端区中，多个场限环沿有源区至终端区的方向上间隔排布；结终端扩展区，位于主结和场限环之间以及相邻的场限环之间的终端区中，结终端扩展区相对于场限环远离衬底层；掺杂区，位于结终端扩展区朝向衬底层的一侧的终端区中、且与结终端扩展区接触，其中，掺杂区的导电类型和外延层的导电类型相同且与结终端扩展区的导电类型相反，掺杂区的掺杂浓度小于外延层的掺杂浓度。

天眼查资料显示，清纯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本928.2124万人民币。通过天眼查大数据分析，清纯半导体（宁波）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可1个。

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