安德科铭申请小分子抑制剂及其形成含氮薄膜方法专利 提升含氮薄膜台阶覆盖率

国家知识产权局信息显示，合肥安德科铭半导体科技有限公司申请一项名为“一种小分子抑制剂及其形成含氮薄膜的方法”的专利，公开号CN120965596A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种小分子抑制剂及其形成含氮薄膜的方法，属于半导体技术领域。本发明利用吡嗪类化合物作为抑制剂沉积含氮薄膜，可以显著提升含氮薄膜在高深宽比衬底中的台阶覆盖率。吡嗪类化合物含有多个N原子，具有易合成、取代基种类可灵活调整、较大的位阻效应等特点，能有效覆盖衬底顶端的活性位点而不抑制底部位点，减少衬底顶端的前驱体吸附，有利于衬底底部薄膜的生长，提高台阶覆盖率；另外，吡嗪类化合物结构中不含有氧元素，更有利于氮化物薄膜的沉积。

天眼查资料显示，合肥安德科铭半导体科技有限公司，成立于2018年，位于合肥市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本1448.3906万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥安德科铭半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息84条，此外企业还拥有行政许可6个。

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