芯三代半导体申请碳化硅沟槽外延制备专利，有效避免因过快生长而导致的沟槽空洞问题

国家知识产权局信息显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅沟槽外延制备方法”的专利，公开号CN 120998773 A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本申请公开一种碳化硅沟槽外延制备方法，包括在衬底的表面制备外延层，在所述外延层上制备预设图案的沟槽；将形成有沟槽的碳化硅衬底放入垂直热壁型CVD外延设备，所述CVD外延设备的压强介于300-400mbar，在形成有沟槽的碳化硅衬底的表面在第一预设温度下以第一预设生长速率以及第二预设温度下以第二预设生长速率进行SiC外延生长，以填充所述沟槽，其中所述第二预设温度大于所述第一预设温度，所述第二预设生长速率大于所述第一预设生长速率。在沟槽回填阶段，先进行低温并采用较慢的生长速率，在沟槽底部形成均匀的薄层，随后采用高温并结合较高的Cl/Si提高填充效率，使得生长更加均匀，有效避免因过快生长而导致的沟槽空洞问题。

天眼查资料显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6413.3399万人民币。通过天眼查大数据分析，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可13个。

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