中芯国际申请闪存存储器及相关形成、写入和擦除方法专利，提高数据写入效率

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法”的专利，公开号CN 121001351 A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法，该闪存存储器包括：衬底；位于所述衬底上的浮栅氧化层；位于所述浮栅氧化层的内部和表面上的浮栅；所述浮栅包括上端部分和下端部分，所述上端部分位于所述浮栅氧化层背离所述衬底的表面上，所述下端部分位于所述浮栅氧化层的内部；位于所述上端部分上的绝缘层；位于所述绝缘层上的控制栅；其中，所述下端部分用于在所述控制栅受到加压的情况下处于电场集中状态，以使所述衬底中的电子隧穿至所述浮栅，提高数据写入效率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。