晶越半导体申请PVT法生长碳化硅单晶的装置及方法专利，实现大尺寸碳化硅单晶“低缺陷厚生长”的突破

国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法”的专利，公开号CN121023630A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，尤其涉及一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法，所述PVT法生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚、包裹坩埚的保温层及外部加热系统，所述保温层顶部设有中心散热区和至少三个周向分布的辅助散热区；所述辅助散热区的热传导效率低于中心散热区。本发明通过保温层顶部中心散热区与辅助散热区的热传导效率差异设计，协同分段压力调控工艺，在晶体生长初期构建稳定的径向热屏障以抑制边缘多晶缺陷（深度压缩至亚毫米级），同时强化轴向温度梯度驱动高速生长，使晶体厚度突破18mm行业瓶颈且位错密度降低一个数量级，最终实现大尺寸碳化硅单晶“低缺陷厚生长”的突破。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可7个。

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